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1S2076中文资料

  • 大小:440.51KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE 1S2076 Low capacitance. (C = 3.0pF max) Short reverse recovery time. (t rr = 8.0ns max) High reliability with glass seal. (Ta = 25°C) Peak reverse voltage V RM Reverse voltage V R Peak forward current I FM Non-Repetitive peak forward surge current I FSM Average forward current I O Junction temperature Tj 175 C Storage temperature Tstg –65 to +175 C Note: Within 1s forward surge current. (Ta = 25°C) Forward voltage V F 0.64 — 0.80 V I F = 10mA Reverse current I R — — 0.1 mAV R = 30V Capacitance C — — 3.0 pF V R = 1V, f = 1MHz Reverse recovery time t rr * — — 8.0 ns I F = I R = 10mA, Irr = 1mA Note: Reverse recovery time test circuit Features 0.079(2.0) MAX 0.020(0.52) TYP 0.165 (4.2) MAX 1.0 2(26.0) MIN. 1.0 2(26.0) MIN. DO-35(GLASS) Dimensions in millimeters Mechanical Data Case: DO-35, glass case Polarity: Color band denotes cathode Weight: 0.004 ounces, 0.13 grams ! ! ! ! ! ! Symbol Value Unit 35 V 30 V 450 mA *1 A 150 mA Powe

1S2076供应商

更新时间:2022-12-31 12:05:59
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